本文主要研究内容
作者夏丽,刘宪云,方佳怡（2019）在《铜箔上制备CoSb3纳米颗粒薄膜在锂离子电池电极中的应用》一文中研究指出：锂离子电池性能研究和提高已成为化学电源领域热点,使用低压化学气相沉积（LPCVD）法在铜箔上制备CoSb3纳米颗粒薄膜,该薄膜不添加任何粘合剂,直接用作锂离子电池电极。50次充放电测试数据表明:使用CoSb3纳米颗粒薄膜的电极充放电性能良好,电荷存储容量较高;初始放电容量为378.8 mA·h/g,在初始充电过程中测试得到充入电容量为205.2 mA·h/g、库仑效率为54.1%;在第二个充放电周期获得了低了些的放电容量为222.6 mA·h/g和相应的充电容量205.2 mA·h/g,库仑效率为92.2%,从第二个循环周期开始锂离子电池已经有较高的充放电效率;在50个充放电周期后CoSb3纳米薄膜的电容量下降到55.4 mA·h/g。在CoSb3纳米薄膜的充放电周期中如此重大的电容量损失是归因于在锂化过程中产生了大型结构变化。
Abstract
li li zi dian chi xing neng yan jiu he di gao yi cheng wei hua xue dian yuan ling yu re dian ,shi yong di ya hua xue qi xiang chen ji （LPCVD）fa zai tong bo shang zhi bei CoSb3na mi ke li bao mo ,gai bao mo bu tian jia ren he nian ge ji ,zhi jie yong zuo li li zi dian chi dian ji 。50ci chong fang dian ce shi shu ju biao ming :shi yong CoSb3na mi ke li bao mo de dian ji chong fang dian xing neng liang hao ,dian he cun chu rong liang jiao gao ;chu shi fang dian rong liang wei 378.8 mA·h/g,zai chu shi chong dian guo cheng zhong ce shi de dao chong ru dian rong liang wei 205.2 mA·h/g、ku lun xiao lv wei 54.1%;zai di er ge chong fang dian zhou ji huo de le di le xie de fang dian rong liang wei 222.6 mA·h/ghe xiang ying de chong dian rong liang 205.2 mA·h/g,ku lun xiao lv wei 92.2%,cong di er ge xun huan zhou ji kai shi li li zi dian chi yi jing you jiao gao de chong fang dian xiao lv ;zai 50ge chong fang dian zhou ji hou CoSb3na mi bao mo de dian rong liang xia jiang dao 55.4 mA·h/g。zai CoSb3na mi bao mo de chong fang dian zhou ji zhong ru ci chong da de dian rong liang sun shi shi gui yin yu zai li hua guo cheng zhong chan sheng le da xing jie gou bian hua 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自固体电子学研究与进展的夏丽,刘宪云,方佳怡，发表于刊物固体电子学研究与进展2019年02期论文，是一篇关于纳米颗粒薄膜论文,锂离子电池论文,电荷存储容量论文,低压化学气相淀积论文,固体电子学研究与进展2019年02期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自固体电子学研究与进展2019年02期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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