导读:本文包含了栅漏电流论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:有限尺寸效应,隧穿电流,纳米级晶体管
栅漏电流论文文献综述
李海霞,季爱明,朱灿焰,毛凌锋[1]（2019）在《硅与二氧化硅界面的有限尺寸效应对纳米晶体管栅漏电流的影响（英文）》一文中研究指出随着器件尺寸逐渐逼近物理极限,硅基器件中硅与二氧化硅界面的微小变化都会对器件特性造成很大的影响,基于此,运用桥氧模型构建了不同尺寸的界面,研究了精细电子结构硅与二氧化硅界面的有限尺寸效应,进而利用第一原理计算了其对纳米晶体管电性能的影响.理论计算结果表明,硅-硅和硅-氧的键长随尺寸的增大呈饱和趋势,界面对可见光的吸收能力以及界面的势垒则随尺寸的减小逐渐增大.最后,隧穿电流的研究结果表明,界面的有限尺寸效应对纳米级别器件的栅极漏电流存在很大的调控作用,而且在大尺寸器件界面特性计算中起重要作用的过渡区和镜像电势,对有限尺寸效应表现出了不同的敏感度.因此,界面的有限尺寸效应对栅极漏电流的影响在纳米级别的器件中已经不可忽略.(本文来源于《Journal of Southeast University(English Edition)》期刊2019年03期）
李海霞,毛凌锋,查根龙[2]（2011）在《深亚微米器件中氧空位对栅漏电流的影响》一文中研究指出描述了影响硅器件性能的二氧化硅中的缺陷,介绍了氧空位的概念,分析计算了随机氧空位对栅漏电流的影响。模拟结果表明:当氧空位在栅氧化层中随机变化时,引起的栅漏电流的变化是在一定值附近上下波动;栅漏电流随氧化层厚度的减小而增大,因此,在小尺寸器件中,必须考虑氧空位对栅漏电流的影响。但当厚度在特定值及特定电场下时,单个氧空位引起的栅漏电流增加可以忽略。(本文来源于《微电子学》期刊2011年02期）
毛凌锋[3]（2010）在《有限尺度效应对纳米石墨烯条带晶体管中栅漏电流的影响》一文中研究指出有限尺度效应改变纳米石墨烯条带晶体管的沟道电子分布。这种效应特别凸现在当石墨烯条带的尺度在几个纳米的时候。由此这个效应导致纳米石墨烯条带晶体管中出现更多的高能电子。这将导致纳米石墨烯条带晶体管存在大的栅漏电流。数值计算表明:当纳米石墨烯条带的尺度减少时,栅漏电流快速的增加。这暗含未来的可以大规模生产纳米石墨烯条带晶体管将面对当石墨烯条带进入纳米尺度以后栅氧化层的可靠性等问题。(本文来源于《苏州市自然科学优秀学术论文汇编(2008-2009)》期刊2010-11-01）
赖忠有,杜磊[4]（2009）在《MOSFET栅漏电流噪声模型研究》一文中研究指出随着MOSFET尺寸的不断减小,栅漏电流对器件特性的影响日益明显。栅漏电流噪声一方面影响器件性能,另一方面可用于栅介质质量表征,因此对其研究备受关注。由于栅介质噪声研究具有重要意义,文献中已经建立起各种各样的噪声模型,文中对其进行了归纳整理。在此基础上分析了各种模型的特性和局限性,进而探讨了其应用范围。(本文来源于《电子科技》期刊2009年10期）
栅漏电流论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
描述了影响硅器件性能的二氧化硅中的缺陷,介绍了氧空位的概念,分析计算了随机氧空位对栅漏电流的影响。模拟结果表明:当氧空位在栅氧化层中随机变化时,引起的栅漏电流的变化是在一定值附近上下波动;栅漏电流随氧化层厚度的减小而增大,因此,在小尺寸器件中,必须考虑氧空位对栅漏电流的影响。但当厚度在特定值及特定电场下时,单个氧空位引起的栅漏电流增加可以忽略。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
栅漏电流论文参考文献
[1].李海霞,季爱明,朱灿焰,毛凌锋.硅与二氧化硅界面的有限尺寸效应对纳米晶体管栅漏电流的影响（英文）[J].JournalofSoutheastUniversity(EnglishEdition).2019
[2].李海霞,毛凌锋,查根龙.深亚微米器件中氧空位对栅漏电流的影响[J].微电子学.2011
[3].毛凌锋.有限尺度效应对纳米石墨烯条带晶体管中栅漏电流的影响[C].苏州市自然科学优秀学术论文汇编(2008-2009).2010
[4].赖忠有,杜磊.MOSFET栅漏电流噪声模型研究[J].电子科技.2009