导读:本文包含了水热电泳沉积论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:硅酸锆,水热电泳沉积,碳,碳复合材料,沉积动力学
水热电泳沉积论文文献综述
刘佳,曹丽云,黄剑锋,辛宇,吴建鹏[1]（2011）在《沉积温度对水热电泳沉积硅酸锆涂层显微结构和性能的影响》一文中研究指出以硅酸锆粉体为原料,异丙醇为溶剂,采用水热电泳沉积法在C/C-SiC复合材料基体表面制备了硅酸锆外涂层。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对涂层的晶相结构和微观形貌进行表征。研究了沉积温度对硅酸锆涂层沉积量及显微结构的影响,及不同沉积温度下涂层的沉积动力学,同时测试了涂层的抗氧化性能。结果表明:在353～413K范围内,水热沉积温度对涂层的显微结构有较大影响;涂层的沉积量随温度升高而增加;涂层的沉积规律受硅酸锆带电粒子扩散迁移所控制;涂层的沉积活化能为25.45kJ/mol;所制备的涂层试样在空气中氧化25h后,失重率小于2%。(本文来源于《航空材料学报》期刊2011年06期）
王博,黄剑锋,刘淼,李抗,曹丽云[2]（2011）在《水热温度对SiC-C/C复合材料表面水热电泳沉积MoSi_2抗氧化涂层的影响》一文中研究指出采用水热电泳沉积法和固相渗透法在C/C复合材料表面制备了MoSi2/SiC复合抗氧化涂层。分别采用X射线衍射、扫描电子显微镜和等温静态氧化实验对复合涂层的晶相组成、显微结构和抗氧化性能进行了表征。主要研究了水热电泳沉积温度对MoSi2外涂层显微结构及高温抗氧化性能的影响,重点分析了涂层试样在1500℃和1630℃下的静态氧化行为及失效机理。结果表明:外涂层主要由MoSi2和少量MoO3晶相组成。外涂层的致密程度、厚度及抗氧化性能随着水热温度的升高而提高。MoSi2/SiC复合涂层具有较好的抗氧化和抗热震能力,在1 500℃下有效保护基体320 h同时经历17次1 500℃与室温之间的热循环后,氧化失重率仅为1.07%;在1630℃下氧化88 h后失重率为2.17%。复合涂层在1 630℃下的氧化失效主要是由于经过长时间氧化后SiO2玻璃膜层不能及时有效填补涂层中的缺陷,涂层试样在热循环过程中产生了贯穿性的孔洞导致的。(本文来源于《无机化学学报》期刊2011年04期）
王博,黄剑锋,刘淼,李抗,曹丽云[3]（2011）在《水热温度对SiC–C/C复合材料表面水热电泳沉积SiC_n–MoSi_2复合抗氧化涂层的影响》一文中研究指出采用水热电泳沉积法在SiC–C/C复合材料表面制备了纳米碳化硅和二硅化钼的复相(SiCn–MoSi2)抗氧化涂层。采用X射线衍射和扫描电子显微镜等对制备涂层的晶相组成、表面及断面微观结构进行了表征。研究了水热温度对制备涂层的结构及高温抗氧化性能的影响,分析了涂层在1 600℃静态氧化行为及失效机理。结果表明:外涂层主要由MoSi2和β-SiC晶相组成。复相外涂层的致密程度、厚度及抗氧化性能随着水热温度的升高而提高。SiCn–MoSi2/SiC复合涂层具有较好的抗氧化和抗热震能力,在1 600℃氧化80 h后氧化质量损失为3.6×10–3 g/cm2。复合涂层在1 600℃的氧化失效主要是由于经过长时间氧化后SiO2玻璃膜层不能及时有效填补涂层中的缺陷,涂层中出现贯穿性的裂纹和孔洞导致的。(本文来源于《硅酸盐学报》期刊2011年02期）
王博,黄剑锋,刘淼,曹丽云,吴建鹏[4]（2010）在《沉积电压对SiC-C/C复合材料表面水热电泳沉积SiC_n-MoSi_2复合抗氧化涂层的影响》一文中研究指出采用水热电泳沉积法在SiC-C/C复合材料表面制备纳米碳化硅和二硅化钼的复相(SiC_n-MoSi_2)抗氧化涂层.分别采用XRD和SEM等测试手段对涂层的晶相组成和显微结构进行了表征.主要研究了沉积电压对涂层显微结构及高温抗氧化性能的影响,分析了涂层试样在1500℃下的静态氧化行为及热循环失效机理.结果表明:外涂层主要由MoSi_2和β-SiC晶相组成.当沉积电压为100～180V时,外涂层的致密程度、厚度及抗氧化性能随着沉积电压的升高而提高.沉积电压过高(220V)时,复合涂层中出现裂纹等缺陷,涂层的氧化保护能力相应减弱.抗氧化性能测试表明复合涂层可在1500℃的静态空气中有效保护C/C复合材料346h,失重率仅1.41wt%.涂层的高温失效是由于涂层试样在热循环过程中产生了贯穿性裂纹导致的.(本文来源于《无机材料学报》期刊2010年12期）
杨文冬,黄剑锋,曹丽云,夏昌奎[5]（2010）在《水热电泳沉积功能陶瓷涂层技术的研究进展》一文中研究指出水热电泳沉积技术结合了水热法和电泳沉积法的优点,是近几年发展起来的制备功能涂层的重要工艺技术,有着良好的应用前景。详细介绍了水热电泳沉积技术的原理、影响沉积工艺的因素,概述了水热电泳沉积动力学并总结了该技术在制备功能陶瓷涂层上的应用。指出水热电泳沉积技术是很有发展前景的涂层制备工艺;在进行水热电泳沉积应用研究的同时,应进一步开展其理论研究,探索水热电泳沉积技术的原理,建立合理的具有指导意义的理论及数学模型。(本文来源于《材料导报》期刊2010年13期）
杨文冬,黄剑锋,曹丽云,夏昌奎[6]（2010）在《水热电泳沉积法制备C-AlPO_4高温抗氧化涂层及其表征》一文中研究指出采用水热电泳沉积法在C/C-SiC复合材料表面制备了均匀的方石英型磷酸铝(C-AlPO4)高温抗氧化涂层。借助XRD和SEM对涂层的晶相组成和显微结构进行了表征。分析了C-AlPO4粉体在悬浮介质中的荷电机理,考察了C-AlPO4粉体在有机悬浮液中的分散稳定性;通过正交实验得到了C-AlPO4涂层的优化制备工艺;研究了此工艺条件下制备涂层的晶相、显微结构及抗氧化性能。结果表明:C-AlPO4由于吸附有机介质分子离解出的H+而荷正电,其悬浮液的分散稳定性在异丙醇中最好;制备C-AlPO4涂层的优化工艺条件为沉积电压220V,沉积时间25min,沉积温度100℃;抗氧化性能测试表明优化工艺条件下所制备的C-AlPO4涂层具有较好的抗氧化性能和抗热震能力,在1500℃的空气气氛下氧化37h后,涂层试样的失重率仅为0.53%。(本文来源于《航空材料学报》期刊2010年02期）
刘淼,黄剑锋,王博,曹丽云,吴建鹏[7]（2009）在《C/C复合材料表面水热电泳沉积SiC_n/SiC复合抗氧化涂层研究》一文中研究指出采用水热电泳沉积法在SiC-C/C复合材料表面制备纳米碳化硅(SiCn)涂层.采用XRD和SEM对涂层的晶相组成、表面和断面的微观结构进行了表征.主要研究了水热沉积温度对涂层的结构及高温抗氧化性能的影响,并分析了涂层试样在1600℃的高温氧化气氛下失效行为.结果表明:纳米碳化硅涂层主要由β-SiC组成.涂层的致密程度和厚度随着水热沉积温度的升高而提高.随着水热温度的提高,涂层试样的抗氧化性能也有明显的提高.在120℃水热沉积温度下制备的涂层试样可在空气气氛1500℃下有效保护C/C复合材料202h,而氧化失重仅为2.16×10-3g/cm2.在1600℃下氧化64h后失重为3.7×10-3g/cm2.其高温失效是由于长时间的氧化挥发后表面SiO2膜不能完全封填表面缺陷,内涂层中产生了贯穿性的孔隙所致.(本文来源于《无机材料学报》期刊2009年06期）
刘淼,黄剑锋,曹丽云,张玉涛,邓飞[8]（2009）在《水热电泳沉积法制备硅酸钇涂层》一文中研究指出以声化学法合成的纳米硅酸钇粉体为原料,异丙醇为溶剂,碘为荷电介质,采用水热电泳沉积方法在SiC-C/C复合材料表面制备硅酸钇涂层。借助XRD和SEM对涂层的晶相组成、表面和断面的微结构形貌进行表征。重点研究了水热电泳沉积温度对涂层结构及抗氧化性能的影响。结果表明涂层中以Y2Si2O7为主晶相,涂层的厚度和致密性随着水热温度的增加而提高。与包埋法制备的SiC涂层相比,水热电泳沉积制备的硅酸钇复相涂层具有更好的抗氧化性能。涂层试样在1500℃的空气气氛下氧化35 h后失重为0.32×10-3g/cm3。(本文来源于《武汉理工大学学报》期刊2009年20期）
王雅琴,黄剑锋,曹丽云,吴建鹏[9]（2009）在《沉积电压对水热电泳沉积硅酸钇涂层显微结构的影响》一文中研究指出采用水热电泳沉积法在SiC-C/C复合材料SiC内涂层表面制备了硅酸钇抗氧化外涂层,并借助X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对涂层的相组成及显微结构进行了表征。讨论了沉积电压对硅酸钇涂层沉积量及显微结构的影响,并研究了不同沉积电压下涂层沉积量与时间的关系,同时测试了涂层试样的抗氧化性能。研究结果表明,随着沉积电压的升高,涂层的沉积量有所增加,涂层的致密性和均匀性也逐渐得到改善。当电压为210V时达到最佳,继续升高沉积电压,涂层的均匀性变差,当沉积电压为240V时,涂层出现明显开裂;不同沉积电压下涂层沉积量随时间呈抛物线变化;涂层在1500℃静态空气中经过10h氧化后,失重仍然小于2%。(本文来源于《材料导报》期刊2009年20期）
姜鑫[10]（2009）在《电泳沉积－水热法制备择优取向TiO_2薄膜的研究》一文中研究指出近年来以TiO2为代表的半导体光催化技术越来越成为一种理想的绿色环境污染治理技术而受到各界的广泛关注。粉体TiO2易失活、易团聚、难以分离和回收等缺点限制了这种形态材料的广泛应用,因而现今多以TiO2薄膜作为研究对象。但是常用的薄膜制备工艺难以满足产物的质量及其工业生产要求。本文利用电泳沉积及水热处理复合的方法,采用层状钛酸HxTi2-x/4□x/4O4·H2O(HTO)作为薄膜的前驱体材料,在FTO导电玻璃及Pt基底表面成功制备了具有锐钛矿(101)面择优取向的TiO2薄膜。利用XRD、SEM、TG-DTA、UV-VIS等分析测试手段研究了薄膜的表面及截面形貌、物相组成、吸热特性及光谱吸收特性,并探讨了电泳沉积、水热反应机理和光催化反应的相关影响因素。在电泳沉积过程中,随着溶液中乙醇含量的增大,膜层生成所需电压也随之加大;其它条件一定时,薄膜厚度随电压的增大而增厚,但过高的电压输入会造成膜层质量的下降;与此同时,膜层厚度随沉积时间的延长而增厚,它们之间开始呈线性增长关系,而后遵循t1/2—h指数增长规律。经过上述讨论所得的最佳电泳沉积参数为:在水与乙醇体积比为1:1的悬浮液体系中经过50 V电压,30 min电泳沉积后,所制得的HTO薄膜厚度为425 nm,结构致密、厚度均匀、表面光滑。由于前驱体材料的特殊层状结构以及水热处理相对温和的反应环境使得制备的TiO2薄膜均具有锐钛矿(101)晶面的择优生长特性。通过对水热处理环节各个影响因素(溶剂种类、pH值环境、水热温度和水热时间)的讨论,发现强酸、强碱或其它有机溶剂的环境均不利于HTO→TiO2的转变以及TiO2中理想物相的形成。当水热温度在180℃—200℃之间时,HTO前驱体开始发生转变。当水热作用较短时间(小于24 h)或者较长时间(大于24 h)时,产物的结晶度和纯度均不理想。经过上述讨论所得最佳水热处理参数为:在纯水体系(pH=7.1)中,通过200℃的水热处理24 h后,HTO前驱体薄膜成功的转化成了具有混合晶型(锐钛矿相和金红石相的体积比为3:1)且表面质量较好的TiO2薄膜材料。利用罗丹明B溶液作为指示剂,分别对在水热与高温煅烧工艺条件下制备的TiO2薄膜进行了光催化性能检测,结果表明前者的光催化性能高出后者叁十多个百分点。从中分析得出:晶粒尺寸越小、比表面积越大、产物晶型中锐钛矿与金红石体积比接近7:3的混合型TiO2薄膜,其光催化活性越好。(本文来源于《华中科技大学》期刊2009-05-27）
水热电泳沉积论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
采用水热电泳沉积法和固相渗透法在C/C复合材料表面制备了MoSi2/SiC复合抗氧化涂层。分别采用X射线衍射、扫描电子显微镜和等温静态氧化实验对复合涂层的晶相组成、显微结构和抗氧化性能进行了表征。主要研究了水热电泳沉积温度对MoSi2外涂层显微结构及高温抗氧化性能的影响,重点分析了涂层试样在1500℃和1630℃下的静态氧化行为及失效机理。结果表明:外涂层主要由MoSi2和少量MoO3晶相组成。外涂层的致密程度、厚度及抗氧化性能随着水热温度的升高而提高。MoSi2/SiC复合涂层具有较好的抗氧化和抗热震能力,在1 500℃下有效保护基体320 h同时经历17次1 500℃与室温之间的热循环后,氧化失重率仅为1.07%;在1630℃下氧化88 h后失重率为2.17%。复合涂层在1 630℃下的氧化失效主要是由于经过长时间氧化后SiO2玻璃膜层不能及时有效填补涂层中的缺陷,涂层试样在热循环过程中产生了贯穿性的孔洞导致的。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
水热电泳沉积论文参考文献
[1].刘佳,曹丽云,黄剑锋,辛宇,吴建鹏.沉积温度对水热电泳沉积硅酸锆涂层显微结构和性能的影响[J].航空材料学报.2011
[2].王博,黄剑锋,刘淼,李抗,曹丽云.水热温度对SiC-C/C复合材料表面水热电泳沉积MoSi_2抗氧化涂层的影响[J].无机化学学报.2011
[3].王博,黄剑锋,刘淼,李抗,曹丽云.水热温度对SiC–C/C复合材料表面水热电泳沉积SiC_n–MoSi_2复合抗氧化涂层的影响[J].硅酸盐学报.2011
[4].王博,黄剑锋,刘淼,曹丽云,吴建鹏.沉积电压对SiC-C/C复合材料表面水热电泳沉积SiC_n-MoSi_2复合抗氧化涂层的影响[J].无机材料学报.2010
[5].杨文冬,黄剑锋,曹丽云,夏昌奎.水热电泳沉积功能陶瓷涂层技术的研究进展[J].材料导报.2010
[6].杨文冬,黄剑锋,曹丽云,夏昌奎.水热电泳沉积法制备C-AlPO_4高温抗氧化涂层及其表征[J].航空材料学报.2010
[7].刘淼,黄剑锋,王博,曹丽云,吴建鹏.C/C复合材料表面水热电泳沉积SiC_n/SiC复合抗氧化涂层研究[J].无机材料学报.2009
[8].刘淼,黄剑锋,曹丽云,张玉涛,邓飞.水热电泳沉积法制备硅酸钇涂层[J].武汉理工大学学报.2009
[9].王雅琴,黄剑锋,曹丽云,吴建鹏.沉积电压对水热电泳沉积硅酸钇涂层显微结构的影响[J].材料导报.2009
[10].姜鑫.电泳沉积－水热法制备择优取向TiO_2薄膜的研究[D].华中科技大学.2009