作者王科镜,李南,陈先龙,应琪,成永红,孟国栋(2019)在《电容式射频微机电系统开关的纳秒脉冲击穿及损伤特性》一文中研究指出:设计并制备了典型电容式射频微机电系统(RF MEMS)开关结构,利用纳秒脉冲微间隙击穿的电气测试和光学诊断系统,对上、下电极间隙宽度在45~100μm的电容式RF MEMS开关的击穿及损伤特性进行了研究。结果表明:上、下电极间隙宽度为45~100μm时,典型电容式RF MEMS开关击穿属于空气-氮化硅双层介质击穿,且随着间隙增大击穿电压变化不明显;击穿点主要集中在上电极悬浮铝桥上,Al桥形貌损伤十分严重,而其他部位损伤较小。
she ji bing zhi bei le dian xing dian rong shi she pin wei ji dian ji tong (RF MEMS)kai guan jie gou ,li yong na miao mai chong wei jian xi ji chuan de dian qi ce shi he guang xue zhen duan ji tong ,dui shang 、xia dian ji jian xi kuan du zai 45~100μmde dian rong shi RF MEMSkai guan de ji chuan ji sun shang te xing jin hang le yan jiu 。jie guo biao ming :shang 、xia dian ji jian xi kuan du wei 45~100μmshi ,dian xing dian rong shi RF MEMSkai guan ji chuan shu yu kong qi -dan hua gui shuang ceng jie zhi ji chuan ,ju sui zhao jian xi zeng da ji chuan dian ya bian hua bu ming xian ;ji chuan dian zhu yao ji zhong zai shang dian ji xuan fu lv qiao shang ,Alqiao xing mao sun shang shi fen yan chong ,er ji ta bu wei sun shang jiao xiao 。
论文作者分别是来自现代应用物理的王科镜,李南,陈先龙,应琪,成永红,孟国栋,发表于刊物现代应用物理2019年01期论文,是一篇关于电容式论文,开关结构论文,纳秒脉冲论文,微米间隙论文,击穿论文,损伤论文,现代应用物理2019年01期论文的文章。本文可供学术参考使用,各位学者可以免费参考阅读下载,文章观点不代表本站观点,资料来自现代应用物理2019年01期论文网站,若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权,请联系我们删除。
本文来源: https://www.lw00.cn/article/23eabc79941aafeaaf5427cf.html