作者施雨,徐余龙,庞东伟,陈涛,桑磊,李庄,曹锐（2019）在《基于SiGe BiCMOS工艺的90～100 GHz单刀双掷开关》一文中研究指出：采用0.13μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种频带为90～100GHz的差分单刀双掷开关。首先对比分析了并联MOS管与串联MOS管,根据隔离度与损耗性能选择了并联结构。其次采用差分螺旋电感进行匹配,将双端口电感网络等效为变压器模型,显著抑制了共模信号。采用平面三维电磁仿真软件进行联合仿真。结果表明,在中心频点处,差模插入损耗为-4.1dB,共模插入损耗为-7.4dB,隔离度大于-22dB,输入反射系数S11<-12dB,输出反射系数S22<-10dB。芯片尺寸为570μm×140μm。
cai yong 0.13μm SiGe BiCMOSgong yi ,she ji le yi chong pin dai wei 90～100GHzde cha fen chan dao shuang zhi kai guan 。shou xian dui bi fen xi le bing lian MOSguan yu chuan lian MOSguan ,gen ju ge li du yu sun hao xing neng shua ze le bing lian jie gou 。ji ci cai yong cha fen luo xuan dian gan jin hang pi pei ,jiang shuang duan kou dian gan wang lao deng xiao wei bian ya qi mo xing ,xian zhe yi zhi le gong mo xin hao 。cai yong ping mian san wei dian ci fang zhen ruan jian jin hang lian ge fang zhen 。jie guo biao ming ,zai zhong xin pin dian chu ,cha mo cha ru sun hao wei -4.1dB,gong mo cha ru sun hao wei -7.4dB,ge li du da yu -22dB,shu ru fan she ji shu S11<-12dB,shu chu fan she ji shu S22<-10dB。xin pian che cun wei 570μm×140μm。
论文作者分别是来自微电子学的施雨,徐余龙,庞东伟,陈涛,桑磊,李庄,曹锐，发表于刊物微电子学2019年01期论文，是一篇关于共模抑制论文,单刀双掷开关论文,微电子学2019年01期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自微电子学2019年01期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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