：在低功率压缩机驱动电路内,意法半导体最新超结MOSFET与IGBT技术能效比较论文

本文主要研究内容

作者（2019）在《在低功率压缩机驱动电路内,意法半导体最新超结MOSFET与IGBT技术能效比较》一文中研究指出：电机驱动市场特别是家电市场对系统的能效、尺寸和稳健性的要求越来越高。为满足市场需求,意法半导体针对不同的工况提供了多种功率开关技术,例如IGBT和最新的超结功率MOSFET。本文在实际工况下的一个低功耗电机驱动电路(例如小功率冰箱压缩机)内测试了基于这两种功率技术的SLLIMMTM-nano(小型低损耗智能模压模块),并从电热性能两个方面对这两项技术进行了详细的分析和比较。

Abstract

dian ji qu dong shi chang te bie shi jia dian shi chang dui ji tong de neng xiao 、che cun he wen jian xing de yao qiu yue lai yue gao 。wei man zu shi chang xu qiu ,yi fa ban dao ti zhen dui bu tong de gong kuang di gong le duo chong gong lv kai guan ji shu ,li ru IGBThe zui xin de chao jie gong lv MOSFET。ben wen zai shi ji gong kuang xia de yi ge di gong hao dian ji qu dong dian lu (li ru xiao gong lv bing xiang ya su ji )nei ce shi le ji yu zhe liang chong gong lv ji shu de SLLIMMTM-nano(xiao xing di sun hao zhi neng mo ya mo kuai ),bing cong dian re xing neng liang ge fang mian dui zhe liang xiang ji shu jin hang le xiang xi de fen xi he bi jiao 。

论文参考文献

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论文详细介绍

论文作者分别是来自中国集成电路的，发表于刊物中国集成电路2019年03期论文，是一篇关于,中国集成电路2019年03期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自中国集成电路2019年03期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。

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