牛兴平：过渡金属原子掺杂对单层MoS2磁性的影响论文

本文主要研究内容

作者牛兴平,窦立璇（2019）在《过渡金属原子掺杂对单层MoS2磁性的影响》一文中研究指出：本文利用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法分别计算了本征及过渡金属掺杂单层MoS2的晶格参数、电子结构和磁性性质.计算结果显示,过渡金属掺杂所引起的晶格畸变与杂质原子的共价半径有联系,但并不完全取决于共价半径的大小.分析电子结构可以看到,VIIB、VIII和IB族杂质中除Ag和Re外的掺杂体系都对外显示磁性,磁矩主要集中在掺杂的过渡金属原子上.掺杂体系的禁带区域都出现了数目不等的杂质能级,这些杂质能级主要由杂质的d、S的3p和Mo的4d轨道组成.

Abstract

ben wen li yong ji yu mi du fan han li lun de di yi xing yuan li ping mian bo yan shi fang fa fen bie ji suan le ben zheng ji guo du jin shu can za chan ceng MoS2de jing ge can shu 、dian zi jie gou he ci xing xing zhi .ji suan jie guo xian shi ,guo du jin shu can za suo yin qi de jing ge ji bian yu za zhi yuan zi de gong jia ban jing you lian ji ,dan bing bu wan quan qu jue yu gong jia ban jing de da xiao .fen xi dian zi jie gou ke yi kan dao ,VIIB、VIIIhe IBzu za zhi zhong chu Aghe Rewai de can za ti ji dou dui wai xian shi ci xing ,ci ju zhu yao ji zhong zai can za de guo du jin shu yuan zi shang .can za ti ji de jin dai ou yu dou chu xian le shu mu bu deng de za zhi neng ji ,zhe xie za zhi neng ji zhu yao you za zhi de d、Sde 3phe Mode 4dgui dao zu cheng .

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论文详细介绍

论文作者分别是来自原子与分子物理学报的牛兴平,窦立璇，发表于刊物原子与分子物理学报2019年01期论文，是一篇关于过渡金属掺杂论文,二硫化钼论文,电子结构论文,磁性性质论文,原子与分子物理学报2019年01期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自原子与分子物理学报2019年01期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。

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