错误率预估论文

本文主要研究内容作者何安林,郭刚,沈东军,刘建成,史淑廷（2019）在《65nm工艺SRAM低能质子单粒子翻转错误率预估》一文中研究指出：质子单粒子效应是纳米工艺集成电路空间应...