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安欢:电化学刻蚀参数对高阻厚壁宏孔硅阵列表面形貌的影响论文
本文主要研究内容作者安欢,伍建春,张仲,王欢,孙华,展长勇,邹宇(2019)在《电化学刻蚀参数对高阻厚壁宏孔硅阵列表面形貌的影响》一文中研究指出:采用光电化学刻蚀方法,在电阻率...