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方华:沉积电压对纳米多孔氧化锰膜电容性能的影响论文
本文主要研究内容作者方华,孟凡腾,张林森,闫继,张世超(2019)在《沉积电压对纳米多孔氧化锰膜电容性能的影响》一文中研究指出:采用阳极电化学沉积法在镍片上沉积纳米多孔氧化锰膜...